طی خبری که به تازگی در فضای اینترنت منتشر شده ،کمپانی توشیبا به زودی نسل جدیدی از فلش مموریهای 3D را که ظرفیت آنها ۶۵% بیشتر از نمونههای پیشین است، روانه بازار خواهد کرد.
فلش مموری های نسخه های موجود در بازار از چهل و هشت لایه سلولی تشکیل شده،در حالی نسل جدید فلش مموری های 3D که با فناوری ناند (NAND) ساخته شده و دارای شصت و چهار لایه سلولی هستند.
به نقل از iTworld این امر منجر به افزایش ظرفیت هر یک از ویفرهای سیلیکونی شده و در نتیجه، باعث کاهش هزینهها به ازای هر یک بیت خواهد شد.از دیگر ویژگی ها فلش مموری های با فناوری نامبرده می توان به ظرفیت ذخیرهسازی سه بیت اطلاعات در هر سلول و نیز توانایی ذخیرهسازی پنجاه و یک گیگابایت اطلاعات در هر تراشه اشاره کرد.
به گفته مدیرعامل شرکت توشیبا، این فناوری جدید میتواند بهرهوری ازحافظه های اساسدی (SSD) شرکت و مصرف کنندگان را تحت افزایش قرار دهد. میزان انبوهی از دستگاههای تراشهای پانصد و دوازده گیگابایتی، از نیمه دوم سال ۲۰۱۷ مورد بهرهبرداری قرار خواهند گرفت.
نقطه عطف دیگر در خصوص فناوری جدید یعنی Nand، ظرفیت بالای صنعتی برای ایجاد تراشه یک ترابایتی است که میتواند شانزده طرح معماری را در یک بسته فشرده جای دهد،در پی این اخبار،گزارش های معتبری نیز منتشر شد که در آن اعلام شده که کمپانیهای فاکسکان (Faxconn)، مایکرون (Micron) و اسکی هینکس (SK Hynix) از خریداران این فلش مموری هستند.
هنگامی که این خبر برای اولین بار در ماه ژانویه اعلام شد، توشیبا مجبور به فروش کمتر از ۲۰%سهام تجاری شرکت شد تا پول نقد بسیاری در اختیار داشته باشد و در پی آن در جلسه ای اعلام شد که توشیبا برای ساخت این فلش مموری های جدید بیش از ۵۰% از سهام به مزایده گذاشته شده است.
منبع : ایتنا